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　　第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)ღღ✿、氮化镓(GaN)ღღ✿、氮化铝(AlN)尊龙凯时人生就是博ღღ✿、氧化锌(ZnO)ღღ✿、金刚石ღღ✿，目前已实现商业化应用的主要为碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)两类ღღ✿，具体用途如下ღღ✿：

　　氮化镓(GaN)是一种宽禁带化合物半导体材料ღღ✿，其禁带宽度为3.4eVღღ✿，与第一代ღღ✿、第二代半导体材料相比光热应用ღღ✿！ღღ✿，它具有高热导率ღღ✿、高击穿场强ღღ✿、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点尊龙凯时人生就是博ღღ✿。

　　氮化镓器件在5G通信ღღ✿、新能源汽车ღღ✿、消费电子等领域具有广泛的应用ღღ✿。在5G通信领域富二代APP无限次破解版ღღ✿，氮化镓功率放大器(PA)能够显著提高信号传输效率和系统性能;在新能源汽车领域ღღ✿，氮化镓充电器和逆变器能够提高充电速度和驱动效率;在消费电子领域ღღ✿，氮化镓LED具有高效ღღ✿、节能ღღ✿、环保等优点ღღ✿，已广泛应用于照明ღღ✿、显示等领域富二代APP无限次破解版ღღ✿。

　　尽管碳化硅被更多地作为衬底材料(相较于氮化镓)ღღ✿，国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业ღღ✿，主要有苏州纳维ღღ✿、东莞中镓ღღ✿、上海镓特和芯元基等;从事氮化镓外延片的国内厂商主要有Z6尊龙凯时ღღ✿，ღღ✿、ღღ✿、海陆重工ღღ✿、晶湛半导体富二代APP无限次破解版ღღ✿、江苏能华ღღ✿、英诺赛科等;从事氮化镓器件制造的厂商主要有ღღ✿、ღღ✿、ღღ✿、尊龙凯时人生就是博ღღ✿、等ღღ✿。

　　2022年ღღ✿，国内12英寸Si基GaN HEMT外延技术获得突破ღღ✿，苏州纳维ღღ✿、中镓半导体持续开展GaN衬底研发和产业化尊龙凯时人生就是博ღღ✿，8英寸Si基GaN产品实现量产ღღ✿，国产GaN射频产品加快向民用市场渗透富二代APP无限次破解版ღღ✿。

　　2022年ღღ✿，GaN产能增加31%ღღ✿。2022年ღღ✿，国内GaN外延产能达到100.2万片/年(折合4英寸)ღღ✿，相较于2021年增加40.7%ღღ✿。初步统计2023年产能在125万片/年左右;芯片/器件2022年产能达到76万片/年ღღ✿，相较于2021年增加31%富二代APP无限次破解版ღღ✿，初步统计2023年产能达82万片/年ღღ✿。

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